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赵训彤; 贺光辉;
上海交通大学微电子学院;
负位线; 静态随机存储器(SRAM); 写辅助电路;
机译:用于高密度低功耗SRAM的失调补偿交叉耦合PFET位线调节和选择性负位线写辅助
机译:0.33-V,500 kHz,3.94-<公式Formulatype =“ inline”> $ muhbox {W} $ tex> formula> 40-nm 72-Kb 9T亚阈值SRAM具有纹波位线结构和负位线写辅助
机译:具有工艺变化意识的区域有效负位线电压方案,用于提高纳米技术中SRAM的写入能力
机译:基于电容耦合的瞬态负位线电压(Tran-NBL)方案,用于提高纳米技术中SRAM设计的写入能力
机译:负强化条件对复习对学生写作的影响:少写会导致多写吗?
机译:一种新型传感器原型基于负刚度机制提高和自适应灵敏度
机译:一种改进生产技术的产品工程措施,以提高高压微型硅整流器的可靠性并提高产品的生产能力
机译:用于SRAM阵列的写辅助负位线电压发生器
机译:SRAM存储器器件的分层负位线升压写辅助
机译:用于SRAM写辅助的负位线升压方案
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