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陈松岩; 刘宝林; 陈龙海; 王本忠; 刘式墉; 陈朝; 黄美纯;
厦门大学物理系;
长春集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区;
低压MOVPE; 场效应晶体管; 异质外延; 砷化镓;
机译:GaAs MESFET和InP / InGaAsP 2 * 2光开关的单片集成
机译:GaAs MESFET的基于有源InSb的中红外光电像素的单片集成
机译:InAs光电二极管和GaAs MESFET的单片集成
机译:用于光电集成的InP上的外延剥离GaAs MESFET
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:晶格匹配Ga1-x中光电流振荡的实验研究和数值模拟在XñÿAs1-y/ GaAs量子阱p-i-n光电二极管
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模
机译:用于MESFET和集成电路的GaAs晶片的非本征吸杂
机译:通过在SiCl4和Ar中产生的等离子体中蚀刻具有GaAs顶层和InP下层的半导体本体来制造光电子半导体器件的方法
机译:一种制备光电子半导体器件的方法,其中刻蚀具有gaas的最上层和包含在sicl4和ar中产生的等离子体的下层inp层的半导体本体
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