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机译:GaAs MESFET和InP / InGaAsP 2 * 2光开关的单片集成
Lab. of Electromagn. & Acoust., Gent Univ., Belgium;
III-V semiconductors; Schottky gate field effect transistors; gallium arsenide; gallium compounds; indium compounds; integrated optics; integrated optoelectronics; optical switches; optical waveguides; 1 V; GaAs; GaAs-InP-InGaAsP; MESFET; OEIC; buried waveguide; heteroepitaxial GaAs-on-InP growth; monolithic integration; optical switch; optoelectronic integrated circuit; photolithographical interconnection;
机译:使用平面多功能外延结构(PME)方法将830 nm的单模AlGaAs光波导与GaAs E / D-MESFET进行单片集成
机译:集成具有光学擦除功能的InGaAsP / InP光电双稳态开关
机译:InGaAsP / InP van逝模波导光隔离器及其在InGaAsP / InP / Si混合e逝光隔离器中的应用
机译:InP / InGaAs / InGaAsP系统中的三带隙QW混合,用于单片集成光开关
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:基于磷化物的光学发射器,用于与Gaas mEsFET单片集成