首页> 外文OA文献 >Phosphide-based optical emitters for monolithic integration with GaAs MESFETs

【2h】

Phosphide-based optical emitters for monolithic integration with GaAs MESFETs

机译：基于磷化物的光学发射器，用于与Gaas mEsFET单片集成

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

by Joseph F. Ahadian.

机译：约瑟夫·阿哈丁（Joseph F.

著录项

作者
Ahadian Joseph F. (Joseph Farzin);
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1995
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Monolithic integration of singlemode AlGaAs optical waveguides at 830 nm with GaAs E/D-MESFETs using planar multifunctional epistructure (PME) approach [J] . Mukherjee S.D., Skogen J.D. Electronics Letters . 1991,第24期

机译：使用平面多功能外延结构（PME）方法将830 nm的单模AlGaAs光波导与GaAs E / D-MESFET进行单片集成
2. Monolithic integration of GaAs MESFET and InP/InGaAsP 2*2 optical switch [J] . Pollentier I., Buydens L. Electronics Letters . 1991,第25期

机译：GaAs MESFET和InP / InGaAsP 2 * 2光开关的单片集成
3. Monolithic integration of GaAs-waveguide optical intensity modulator with MESFET drive electronics [J] . Ade R.W., Bossi D.E. Electronics Letters . 1992,第8期

机译：GaAs波导光强度调制器与MESFET驱动电子器件的单片集成
4. Monolithic integration of Si MOSFETs and GaAs MESFETs [C] . Choi H.K., Turner G.W., Tsaur B.-Y. Electron Devices Meeting, 1985 International . -1

机译：Si MOSFET和GaAs MESFET的单片集成
5. Vertical Integration of Optical Waveguides in the AlGaAs/GaAs Semiconductors [D] . Liao, Zhongfa. 2018

机译：AlGaAs / GaAs半导体中光波导的垂直集成
6. InAs/GaAs Quantum Dot Microlasers Formed on Silicon Using Monolithic and Hybrid Integration Methods [O] . Alexey E. Zhukov, Natalia V. Kryzhanovskaya, Eduard I. Moiseev, 2020

机译：使用整体和混合集成方法在硅上形成InAs / GaAs量子点微激光器
7. Monolithic integration of an active InSb-based mid-infrared photo-pixel with a GaAs MESFET [O] . Xie, Chengzhi, Pusino, Vincenzo, Khalid, Ata-ul-Habib, 2015

机译：基于有源Insb的中红外光像素与Gaas mEsFET的单片集成

Phosphide-based optical emitters for monolithic integration with GaAs MESFETs

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅