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机译:GaAs MESFET的基于有源InSb的中红外光电像素的单片集成
Electronics and Nanoscale Division, School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.;
Focal plane array (FPA); GaAs; InSb; imaging; medium wavelength infrared (MWIR) photodetector; monolithic integration; monolithic integration.;
机译:使用平面多功能外延结构(PME)方法将830 nm的单模AlGaAs光波导与GaAs E / D-MESFET进行单片集成
机译:利用外延剥离将InGaAs / GaAs / AlGaAs应变层SQW LED和GaAs MESFET进行单片集成
机译:AlGaAs / GaAs MQW激光二极管和使用选择性再生长生长在Si上的GaAs MESFET的单片集成
机译:一种新颖的基于InSb的光像素,具有用于视频速率采样的单片集成GaAs MESFET
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:使用整体和混合集成方法在硅上形成InAs / GaAs量子点微激光器
机译:基于有源Insb的中红外光像素与Gaas mEsFET的单片集成