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李玉增;
北京有色金属研究总院;
半导体薄膜; 薄膜材料; 氮化镓;
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机译:GaN基电子器件的最新进展
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机译:GaN Hemt的最新进展与A1N基电子器件的禁区层和未来前景
机译:用于功率器件和储能应用的工程铝基薄膜材料
机译:电阻开关器件中金属氧化物的薄膜沉积:锰矿薄膜中电阻开关的电极材料依赖性
机译:单壁碳纳米管光物理学的最新进展,用作薄膜光伏器件中的有源和无源材料元件。
机译:以及制造键合衬底GaN薄膜的方法,其制备方法和GaN基半导体器件
机译:用于GaN相关的高品质光学器件的金属薄膜和使用镍基固溶体开发欧姆接触的制造方法
机译:薄膜发光GaN基半导体器件
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