退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
黄忠升; 潘宏菽;
电子工业部第十三研究所;
微波; 低浓度深结; 环扩; 功率晶体管;
机译:TCAD仿真研究提高了SOI薄膜双极晶体管的击穿电压,降低了准饱和度以及自热效应,从而提高了可靠性:
机译:具有部分GaN / Si异质结的新型垂直功率MOSFET通过击穿点传输终端技术提高击穿电压
机译:Ga2O3溅射功率对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管击穿电压的影响
机译:适用于微波功率的近理想击穿Si / SiGe异质结双极晶体管
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:并五苯薄膜晶体管栅绝缘子的聚(4-乙烯基苯酚)交联过程的快速低功率微波感应加热方案研究
机译:新型功率MOSFET采用部分SIC / SI异质结,通过击穿点转移来改善击穿电压(BPT)终端技术
机译:大功率微波管调制阳极区电压击穿现象的研究
机译:微波功率FET制造商。 -通过在击穿电压控制凹槽中蚀刻不对称的栅极凹槽,以提供高功率和增益的晶体管
机译:沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管和包括能够提高击穿电压的L形电板的边缘端子结构
机译:半导体元件具有例如沟槽晶体管。场效应晶体管,布置在区域中,其中一个区域中的晶体管的中间击穿电压不同于另一区域中的沟槽晶体管的中间击穿电压
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。