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何莉剑; 张万荣; 谢红云; 张蔚;
北京工业大学电控学院;
线性; 功率放大器; 偏置电阻;
机译:使用自基极偏置控制电路的高P {Sub}(1dB)和低静态电流SiGe HBT功率放大器MMIC用于5,8GHz等端子
机译:使用自偏置偏置控制电路的5,8GHz ETC终端的高P {sub}(1dB)和低静态电流SiGe HBT功率放大器MMIC
机译:使用自基极偏置控制电路为5.8 GHz等端子,高p / sub 1db /和低静态电流SiGe HBT功率放大器MMIC
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:跨电容和偏置相关的时延以及基极电阻表达式,用于HBT的精确大信号建模
机译:X波段频率下高功率siGe HBT放大器的材料和器件优化
机译:基极偏置电路和使用该基极偏置电路的功率放大器
机译:基极偏置电路以及使用该基极偏置电路的功率放大器
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