带有基极镇流电阻的SiGe HBT射频功率放大器

摘要

基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款应用于WLAN、WIFI以及蓝牙等应用领域的射频功率放大器。该功率放大器带有基极镇流电阻,增强了热稳定性和交流稳定性,工作在AB类状态,由三级电路级联构成。完成了功率放大器芯片的PCB板级测试,测试结果如下:在2.4 GHz工作频率处,S参数S21为24.3 dB,S11为-10.79dB,S22为-13.8 dB,S12为-45.5 dB;1 dB压缩点输出功率为20.3 dBm,最大输出功率可达23 dBm。