University of California, San Diego.;
机译:通过重掺杂非本征基极区的选择性MOCVD生长来增强InP / InGaAs HBT中的f / sub max /
机译:在非本征基极区域中通过MOMBE选择性生长制造的高f / sub max / AlGaAs / InGaAs和AlGaAs / GaAs HBT
机译:改进的建模和参数提取程序,重点在于集电极式HBT的外部电感和基极-集电极电容
机译:高f / sub max / InP / InGaAs HBT具有通过MOCVD选择性生长的非本征基层
机译:用于降低磷化铟HBT中的基极-集电极寄生效应的制造工艺和外延生长技术。
机译:基于活动型丙虫治疗的新治疗方法的疗效与效率为水肿降低和改善妇女乳腺癌癌症相关臂淋巴水淋巴结患者康复的职业性能:受控随机临床试验
机译:InP / InGaAs HBT光电晶体管的性能增强,具有改进的基极接触设计