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翟宪振; 吴海峰; 罗向东;
江苏省专用集成电路设计重点实验室南通大学;
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管; 准饱和效应; 线性工作区;
机译:包括准饱和在内的高压LDMOS器件的紧凑建模
机译:通过减轻准饱和效应来提高RF LDMO的线性和鲁棒性
机译:研究用于高压ESD保护的LDMOS中的触发电压进入效应
机译:包含准饱和效应的SOI-LDMOS的紧凑模型
机译:镧钙锰氧化物中同位素效应的高压研究:双交换和极化子效应。
机译:使用代谢分析和基因表达分析来探索用多不饱和脂肪替代饱和脂肪的分子效应-一项随机对照饮食干预研究
机译:包含准饱和的高压LDMOS器件的紧凑模型
机译:准一维系统sr(n-1)Cu(n1)O(2n)(n = 3,5)的高压合成和磁性研究
机译:使用双阱抑制高压工艺中嵌入的薄栅氧化物LDMOS的热载流子效应
机译:高压工艺中使用双阱抑制薄栅氧化层LDMOS的热载流子效应
机译:高压腔,用于中子的准弹性扩散研究
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