高压CoolMOS的准饱和效应分析及优化设计

摘要

分析了利用多次外延/离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS(>650 V)的准饱和现象,与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比。结果发现,准饱和首先发生在N-Pillar的底部,分析了这种现象产生的原因。为了改善器件的准饱和效应,提出一种简单的优化结构,在几乎不改变器件的导通电阻和击穿电压的前提下,使器件的开态准饱和电流提高了约40%,并且利用仿真软件Sentaurus Device进行了模拟仿真。