Dept. of Electr. Eng., Indian Inst. of Technol., Madras, Chennai, India;
MOSFET; power integrated circuits; semiconductor doping; silicon-on-insulator; SOI-LDMOS; compact modeling; gate voltages; high voltage silicon on insulator; lateral double diffused MOS transistor; quasi-saturation effect; thin gate oxide; uniform doping; velocity saturation; DC modeling; LDMOS; SOI technology; compact model; quasi-saturation;
机译:包括准饱和在内的高压LDMOS器件的紧凑建模
机译:SOI-LDMOS晶体管的一种改进的准饱和和电荷模型
机译:SOI-LDMOS晶体管的建模,包括碰撞电离,骤回和自加热
机译:SOI-LDMOS的紧凑型建模,包括准饱和效应
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:多状态模型生成器(MSMB):用于紧凑型生化模型的灵活编辑器
机译:包含准饱和的高压LDMOS器件的紧凑模型