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机译:SOI-LDMOS晶体管的建模,包括碰撞电离,骤回和自加热
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Madras , Chennai, India;
Compact model; impact ionization (II); lateral double-diffused metal–oxide–semiconductor (LDMOS); self-heating (SH); silicon-on-insulator (SOI) technology; snapback (SB);
机译:包括直流自热在内的应变Si / SiGe NMOS晶体管的建模
机译:具有自热效应的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管静态电流特性的热模型
机译:GaN基高电子迁移率晶体管中具有自热效应的电流崩解和栅极滞后在栅极边缘模型处捕获热电子的演示和动态分析
机译:包括自加热在内的高压SOI-LDMOS晶体管的建模
机译:用于电路仿真的晶体管自热建模。
机译:多晶硅源极门控晶体管中的自热效应
机译:高压SOI-LDMOS晶体管的建模,包括自加热