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周少波; 王双保; 陈四海; 易新建;
华中科技大学光电子工程系;
氧化钒薄膜; 微测辐射热计; 反应离子束溅射; 制备参量;
机译:直流磁控反应溅射和氧后退火制备的纳米结构VO_x薄膜的电学和光学性质
机译:反应射频磁控溅射沉积及后续退火工艺在(0001)或(1010)Al_2O_3上制备二氧化钒和七氧化二钒薄膜
机译:通过离子束溅射沉积与后退火相结合制备的电致变色WO3薄膜
机译:低温离子束溅射和还原退火法制备纳米结构的Vox薄膜
机译:通过中和离子束溅射和脉冲激光沉积沉积的n型薄膜透明导电氧化物的电学和光学性质的制备和表征。
机译:退火温度和氧气流量对离子束溅射SnO2-x薄膜性能的影响
机译:用于沉积氮化铌薄膜的离子束反应溅射工艺
机译:离子束溅射沉积高(Tc)超导薄膜的离子散射和溅射工艺研究:沉积参数的优化。
机译:高纯度钇制备高纯度钇溅射靶金属栅薄膜的高纯度钇工艺,所述高纯度钇溅射靶金属栅薄膜沉积有所述的金属栅膜,所述器件具有半导体元件和器件
机译:通过控制离子束溅射沉积工艺制备的灵活的高性能微滴定仪检测器材料
机译:用磁控反应溅射沉积代替铬镀层制备高沉积速率的碳化钨薄膜的方法
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