用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜

陈卫东; 冯良桓; 雷智; 张静全; 武莉莉; 蔡伟; 蔡亚平; 姚菲菲; 李卫; 黎兵; 郑家贵

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采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备Al/Sb预制多层薄膜,然后将Al/Sb预制多层薄膜在退火炉中退火得到AlSb多晶薄膜.用X射线衍射(XRD)法测薄膜结构;用扫描电镜(SEM)测薄膜Al/Sb成分比,结果表明AlSb多晶薄膜具有单一的晶相、均匀的结构,以及粒径大约20nm的晶粒.根据电导率(lnσ)与温度(T)的关系得到电导激活能为0·21和0·321eV,为制备出适用于太阳电池的AlSb多晶薄膜奠定了一定的技术基础.

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来源
《半导体学报》 |2006年第3期|541-544|共4页
作者
陈卫东; 冯良桓; 雷智; 张静全; 武莉莉; 蔡伟; 蔡亚平; 姚菲菲; 李卫; 黎兵; 郑家贵;
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作者单位

四川大学材料科学与工程学院;

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正文语种 chi
中图分类结构;
关键词
AlSb多晶薄膜; 磁控溅射; 退火; 太阳电池;

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