基于氮离子源的离子束反应溅射沉积设备及氮化铝薄膜制备方法

摘要

本发明提供了一种氮离子源的离子束反应溅射沉积设备，以及使用该设备的基于氮离子源的氮化铝薄膜制备方法和氮化铝薄膜。其中设备包括氮离子源、工件台和靶台，所述氮离子源用于通入氮气并生成氮离子束，所述靶台用于固定铝靶材且位于氮离子束的发射方向上，所述工件台用于固定衬底且位于靶台的溅射粒子沉积方向上，所述氮离子束轰击铝靶材产生的溅射粒子沉积在衬底上形成氮化铝薄膜；所述工件台上设置有可开关的挡板，用于在关闭时遮挡衬底以防止溅射粒子沉积。本发明直接以氮气作为工作和反应气体，可以避免使用氩气等惰性气体，降低了工艺成本；并且通过离子束反应溅射技术制出的氮化铝薄膜均匀度好，表面光滑，应力小，光学性质更加重复稳定。