以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜

摘要

为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜。同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底。其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。为了比较中间层的作用,对按照两种方案(使用中间层和不使用中间层)实验样品进行了测试和比较。实验结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。