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利用磁控溅射技术制备Mo-S-C-N自组装纳米多层薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种利用磁控溅射技术制备Mo‑S‑C‑N自组装纳米多层薄膜的方法,是将基材清洗、氮气吹干后放入磁控溅射腔体;抽真空并用高能Ar+清洗基材表面杂质,在采用直流电源溅射Ti靶材沉积中间层后同时通入氩气和氮气,通过射频电源溅射二硫化钼和碳靶材,最终得到Mo‑S‑C‑N自组装纳米多层薄膜。该薄膜呈现了自组装的纳米多层结构,具有显著改善的硬度和弹性模量,同时克服了二硫化钼薄膜的潮湿敏感性,在真空和大气环境下均具有优良的摩擦学性能。本发明在无需交替开关特定靶电源的前提下,全程使用单一溅射参数运行即可制备结构良好的纳米多层薄膜,简单易行,确保了薄膜在成分和结构上的可靠性以及工业化生产的可行性。

著录项

  • 公开/公告号CN111455316A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院兰州化学物理研究所;

    申请/专利号CN202010493954.6

  • 申请日2020-06-03

  • 分类号C23C14/06(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/35(20060101);

  • 代理机构62201 兰州智和专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张英荷

  • 地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号

  • 入库时间 2023-12-17 11:07:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20200603

    实质审查的生效

  • 2020-07-28

    公开

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