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丁咚; 阴明利; 邹长伟; 郭立平; 付德君;
武汉大学物理学院加速器实验室,武汉,430072;
中频磁控溅射; GaN; X射线衍射; 沉积速率;
机译:阳极层离子源辅助的中频磁控溅射沉积GaN薄膜的表征与性能
机译:射频磁控溅射法制备Eu掺杂GaN薄膜及其光致发光
机译:射频磁控溅射制备Eu掺杂GaN薄膜的结构性能
机译:使用RF磁控溅射法制备GaN薄膜的制备与评价研究
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:用磁控溅射外延综述GaN薄膜和纳米棒生长
机译:立方GaN薄膜中生长,氮空位降低和固溶体形成及随后使用alN和InN制备超晶格结构。
机译:GaN薄膜结构,其制造方法以及包括该GaN薄膜结构的半导体元件
机译:GaN薄膜的制造方法及GaN薄膜
机译:制造GAN薄膜的方法和制造GAN薄膜的基质
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