氧化钨薄膜的直流反应磁控溅射法制备和电致变色性能表征

摘要

用直流反应磁控溅射法在ITO导电玻璃上制备了非晶态氧化钨电致变色薄膜,研究了氧氩比、溅射气压、薄膜膜厚对薄膜致色效率、光学调制幅度的影响.采用FESEM、XPS对薄膜表面微观形貌及组分的化合价态进行了表征,采用紫外-可见分光光度计和电化学工作站对样品的光学性能及电致变色性能进行了研究.结果表明:当氧/氩比比值在0.2以上时,薄膜中钨元素为+6价,致色效率及可见光光学调制幅度较优;当沉积气压由1.0Pa提高至2.4Pa时,薄膜结构由致密变为疏松,致色效率及可见光光学调制幅度得到提高;当沉积气压进一步提高至3.4Pa时,电致变色性能变化幅度不大,但薄膜表面会出现几微米长的交错裂纹;当薄膜厚度由150nm依次增加至300nm、600nm时,薄膜的光学带隙由3.41eV依次降至3.32eV、3.20eV,致色效率及可见光光学调制幅度得以提高.