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MOS硅外延技术

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摘要

本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。

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来源
《稀有金属》 |1986年第1期|50-53|共4页
作者
孙膺九;
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作者单位

电子工业部第46研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
MOS; 外延工艺; 外延技术; 电阻率; 电阻系数; 外延层; 硅外延; 吸除工艺; 内吸除; 器件工艺;

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