硅基锗薄膜外延及锗MOS电容的界面特性研究

摘要

采用低温Ge和SiGe／Ge超晶格相结合，吸收过滤因晶格失配在硅／锗界面处产生的失配位错向表面的穿透，制备出低位错密度、高质量的硅基Ge单晶薄膜。在具有硅盖层的硅基锗外延材料上，通过热氧化形成二氧化硅绝缘层，制备出硅基Ge MOS电容，研究了氧化物介质与锗界面物理结构对电学特性的影响。