Research Progress on Luminous Properties of Si-based Ge Epitaxial Films

摘要

理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,SI基外延gE薄膜能实现1.55μM光通信波段的直接带隙发光。讨论了SI基外延gE材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对gE薄膜发光材料和器件的研究进展,展望了未来的发展趋势。