半导体硅熔体电导率的间接测量

摘要

本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度,根据ηeff=（μBb）2σ关系式,间接计算出硅熔体的电导率。其结果与用其他方法测试的数值吻合。用电子导电、离子导电的变化,解释了硅熔体在1420～1690℃范围电导率的变化,研究结果对指导大直径硅单晶生长具有实际意义。