Разработана и собрана установка для исследования термоэлектрических параметров полупроводников и химически агрессивных, склонных к испарению и разложению полупроводниковых расплавов в широком температурном интервале (300-1300 К). В отличие от ранее используемых для этих целей устройств измерение электропроводности и тер мо-э.д.с. проводили в герметически закрытых автоклавах, заполненных после вакуумирования до 1.33 · 10{sup}(-2) Па спектрально чистым аргоном для предотвращения окисления, испарения или разложения исследуемого вещества.Ошибки измерения электропроводности и термо-э.д.с. не превышают 4 и 6%, соответственно, при 1000 К.
展开▼
