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吴俊;
河北工业大学;
元素半导体; 硅材料; 锗材料; 熔体结构; 单晶生长;
机译:应变硅/应变硅锗异质结构中的硅锗互扩散及其对提高迁移率的金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:半导体材料的体积和表面层中引入掺杂元素锗和印度的微量元素
机译:含锗锗硅化物金属源极和漏极的富锗应变硅锗线三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率和驱动电流增强
机译:使用元素多层作为反应性前体使用元素多层的镍硅和锗化物的选择性制备
机译:在变质硅锗衬底上生长的III-V族化合物半导体材料的电子缺陷,可用于光伏应用。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:半导体材料(6)如何制造硅和锗单晶(第2部分)
机译:锗硅合金材料低温氧化新方法的研究及其表征
机译:可用于光伏和电子领域的纳米线,包括半导体材料和具有直接硅-硅-,锗-硅-和/或锗-锗键的化合物的前驱体或化合物的混合物
机译:异质结构FET由硅/硅锗锗异质结构层结构组成,栅接触区形成为由半导体材料制成的pn或np二极管接触
机译:包含硅,锗或硅锗合金的烧结纳米晶的热功率元素或肥大元素
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