В работе рассмотрена методика введения микродоз (10~(-5)-10~(-10) г) метал-лов на примере германия и индия в полупроводниковые соединения методом кулонометрического титрования в ячейке с твердым электролитом. Выбраны твердые электролиты, имеющие обратимость по катионам германия (система GeSe-Gel2, содержащая 5 мол. % GeI2) и индия (система InCl3-MgCl2, со-держащая 15 мол. % MgCl2; InCl3-CdCl2, содержащая 1.5 мол. % CdCl2; In2S3-InCl3, содержащая 5 мол. % InCl3) и охарактеризованы их электротранс-портные свойства. Определены оптимальные условия электрохимического ле-гирования (температура и плотность тока), при которых выход по току состав-ляет 90-100 %. Легирование германием и индием проведено на примерах нестехиометрических монотеллурида свинца, сульфида индия и тройной халь-когенидной шпинели Cd_(1±δ)Cr2Se4. Контроль за эффективностью легирования осуществлен измерением электродвижущей силы соответствующих электрохи-мических ячеек, а также методом электропроводности и по измерению эффек-та Холла. С помощью твердых электролитов, обратимых по индию, определена стандартная энергия образования Гиббса ряда индийсодержащих полупровод-ников.
展开▼
