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闻莺; 袁汉章; 朱腾; 刘亚雯;
北京矿冶研究总院,北京有色金属研究总院,北京科技大学,中国科学院高能物理研究所;
半导体; 硅; 掺杂元素; 锗; 微区分析;
机译:磁控溅射重掺杂硅靶材制备的掺硼和磷掺杂的微晶硅薄膜的电性能
机译:半导体材料的体积和表面层中引入掺杂元素锗和印度的微量元素
机译:增强铁硅化物/硅锗的金属/半导体纳米复合材料中的热电性能
机译:XRMF对硅单晶中掺杂元素锗的微分析研究
机译:无序的电子和磁性系统 - 过渡金属(锰)和稀土(钆)掺杂非晶族IV半导体(碳,硅,锗)
机译:用于垂直晶体管应用的磷掺杂硅/硅锗多层结构的生长和选择性蚀刻
机译:稀土掺杂硅和硅锗合金的低温外延生长
机译:用于图像传感器的收缩型光电二极管,在P型硅基板或盒与P型强掺杂区之间设有N型区,其中P型区由硅制成,而N型区由硅制成。锗
机译:通过使用掺杂剂来掺杂晶片,优选地是纯元素或合金的晶片,特别是晶体或多晶硅或锗晶片的掺杂剂的主体掺杂区域涉及提供具有载体膜的掺杂膜。
机译:制备外延硅锗层的方法和包括外延砷原位掺杂的硅锗层的集成半导体器件
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