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王珣; 汪莱; 郝智彪; 罗毅; 孙长征; 韩彦军; 熊兵; 王健; 李洪涛;
清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京100084;
氮化镓; 发光二极管; 三维结构; 无荧光粉白光; 效率下降;
机译:具有半绝缘GaN缓冲层和AlN夹层的AlGaN / GaN基电子器件结构的生长
机译:用于LED的GaN基晶体生长以及发光器件在Si基板上的应用
机译:GaN压力生长晶体在GaN基结构表观中的应用
机译:ZnO在钝化GaN基器件结构中的应用
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用于光子器件的三维六边形GaN结构中a面的形成
机译:GaN基电子和光电结构的外延生长和器件制造
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:使用GaN衬底的光学器件结构和用于激光应用的生长结构
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