封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
第一章 绪论
1.1 太赫兹的研究意义
1.2 太赫兹GaN 基NDR二极管的优势以及相关理论
1.3 本文的研究内容和安排
第二章 GaN耿氏二极管Notch掺杂层结构生长研究
2.1 Notch 掺杂层结构的应用背景
2.2 材料内部掺杂浓度分布位错分布和应力分布表征手段
2.3 Notch掺杂层结构生长
2.4 Notch掺杂层对结构内部位错分布影响
2.5 表面形貌与光学特性
2.6 本章小结
第三章 GaN耿氏二极管中点缺陷分析
3.1 GaN耿氏二极管中点缺陷研究意义
3.2 点缺陷分布表征手段
3.3 C-V四元件模型介绍
3.4 PL谱分析
3.5 GaN耿氏二极管中点缺陷分布以及退火对点缺陷作用
3.6 本章小结
第四章 GaN耿氏二极管AlGaN热电子注射层结构生长研究
4.1 AlGaN热电子注射层结构的应用背景
4.2 Ga面AlGaN热电子注射层结构生长与分析
4.3 N面AlGaN热电子注射层结构生长与分析
4.4 本章小结
第五章 InAlN/GaN异质界面处缺陷研究
5.1 InAlN/GaN异质界面的研究意义
5.2 InAlN/GaN异质界面生长与优化
5.3 InAlN/GaN异质界面对内部位错分布影响
5.4 InAlN层对应力分布以及表面形貌影响
5.5 本章小结
第六章 结束语
6.1 本文的主要结论
6.2 未来的工作
致谢
参考文献
攻读博士学位期间的研究成果
西安电子科技大学;