SiC埋层结构与C^+注入剂量关系

摘要

采用MetalVaporVacuumArc（MEVVA）离子源的离子束合成法，往Si衬底注入剂量为3．0×1017～1.6×1018cm-2的C+制成SiC埋层，C+离子束的引出能量为50keV．光电子能谱和红外吸收谱表明SiC埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用MEVVA离子源可以在平均衬底温度低于400℃时得到含有立方结构的SiC埋层.