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郑陶雷; 罗晋生;
西安交通大学微电子所;
绝缘体基硅; MOSFET; 金属氧化物半导体器件; 数值模拟;
机译:薄膜短沟道SOI MOSFET的温度相关阈值电压和漏极电流-电压特性的经验模型
机译:多门MOSFET穿通特性的综合研究-SOI MOSFET各种栅极形状的穿通电压趋势
机译:电压 - 电流特性与低电流特性的电压 - 电流特性和稳定性模拟励磁电子发射的影响
机译:SOI-MOSFET电流电压特性的分析结果
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:具有大体效应和低阈值电压的高驱动电流电感应体动态阈值sOI mOsFET(EIB-DTmOs)
机译:采用Bulk和sOI CmOs技术的mOsFET RF特性
机译:电压电流特性的测量方法,电压电流特性的测量装置和太阳能模拟器
机译:电压-电流特性测量方法以及电压-电流特性测量设备和太阳能模拟器
机译:从医用电流或电压到医用电流或电压的特性,无电位,电位高的设备。在高压设备中
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