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彭补之;
金属有机物; 脉冲化学气相沉积; 陶瓷薄膜; 生长速率; 形貌;
机译:低温低压化学气相沉积生长多晶硅的原位准分子激光退火:金属扩散对薄膜形貌和生长速率的影响
机译:金属有机化学气相沉积法在GaAs(100)衬底上准一维ZnSe纳米线的形貌和生长速率变化
机译:脉冲循环数对通过金属有机化学气相沉积生长脉冲原子层外延AIN薄膜质量的影响
机译:低压金属化学气相沉积(MOCVD)作为前体的低压金属化学气相沉积(MOCVD)生长氧化铒和氧化钆高k介电薄膜的对比研究
机译:YBCO薄膜通过光辅助金属有机化学气相沉积的高速率生长。
机译:二硒化钛薄膜的区域选择性生长低压化学气相沉积成微图案化基材的薄膜沉积
机译:特刊陶瓷集成。 Bi和Nb共加入-SRTIO3薄膜的生长行为通过金属 - 有机化学气相沉积表现出压敏电阻特性。
机译:mOCVD(金属有机化学气相沉积)生长外延陶瓷氧化物薄膜的表征。
机译:贵金属化合物薄膜和贵金属薄膜的化学气相沉积方法以及制备化学气相沉积的有机金属化合物和化学气相沉积的金属有机化合物的方法
机译:用于化学气相沉积的有机金属化合物,用于化学气相沉积的有机金属化合物的制备方法,新型金属薄膜和用于新型金属复合薄膜的化学气相沉积的方法
机译:氧化物生长的化学气相沉积方法巨大的磁致电阻的氧化物生长薄膜的化学气相沉积方法
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