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公开/公告号CN1832111A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-09-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200510054173.2
发明设计人 丛光伟;刘祥林;董向芸;魏宏源;王占国;
申请日2005-03-09
分类号H01L21/205(20060101);C23C16/44(20060101);C23C16/40(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 17:38:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-07-09
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-08
实质审查的生效
2006-09-13
公开
机译: 适于化学气相沉积金属氧化物薄膜的低反应活性的挥发性有机化合物
机译:随机多晶和异质外延金属有机化学气相沉积衍生的镓铟氧化物薄膜的生长,微结构,电荷传输和透明度
机译:使用时间分辨气溶胶辅助化学气相沉积法绘制金属氧化物薄膜的生长和微调功能特性
机译:四甲基锡前体金属有机化学气相沉积法制备的铟锡氧化物薄膜的结构,电学和光学性质
机译:金属有机物生长的InP和InAlP自组装量子点化学气相沉积
机译:复杂的金属氧化物薄膜通过金属有机化学气相沉积生长。
机译:通过金属有机化学气相沉积法在c面GaN衬底上生长的富铝AlInN的结构特性
机译:使用时间分辨的气溶胶辅助化学气相沉积在映射金属氧化物薄膜生长和微调功能性
机译:mOCVD(金属有机化学气相沉积)生长外延陶瓷氧化物薄膜的表征。