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生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构

摘要

一种生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构,包括:一上罩机构为一桶状,底部开有一圆孔,侧壁上开有一侧孔;一下罩机构为一管状,该上罩机构、下罩机构固接;一辅气气嘴机构包括:一柱体,下面固接有一喇叭口;一三路喷气气嘴机构包括:一固定座为圆筒形,该固定座的小径端插入并固定在侧孔内;一气嘴座为一柱体,包括一大径端和小径端,该小径端的直径与固定座内孔相同,该气嘴座插入固定座内孔固定,该气嘴座的纵向开有三个通孔,该通孔为阶梯状,该通孔朝向内端插接有三根气体喷管,朝向外端插接有三根金属管;一旋转机构包括:一旋转轴,该旋转轴的一端与底座上的通凹孔配合,另一端固定一托盘,该托盘正对着辅气气嘴机构上的喇叭口。

著录项

  • 公开/公告号CN1832111A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200510054173.2

  • 申请日2005-03-09

  • 分类号H01L21/205(20060101);C23C16/44(20060101);C23C16/40(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 17:38:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-07-09

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-11-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-13

    公开

    公开

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