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段宝兴; 杨银堂;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
CMOS; 应变硅; Raman光谱;
机译:带有镍硅DEe触点的应变和非应变硅纳米线的电学表征
机译:SiN对采用衬底应变硅锗和机械应变硅技术的新型互补金属氧化物半导体结构性能的影响
机译:使用衬底应变硅锗和机械应变硅技术增强的CMOS性能
机译:应变硅和非应变硅上超薄镍硅化物的形成与表征
机译:应变硅/硅锗/硅异质结构的电子缺陷表征
机译:硅基和硼酸根含二氧化钛的生物活性涂层的表征:临界应变能释放速率残余应力硬度和热膨胀
机译:中间应变率测试方法和全场复合材料的光学应变测量技术材料表征
机译:应变结晶硅壁状结构中载流子传输特性的表征作为拟量子态的函数。
机译:硅技术在通道区域下形成应变诱导层的注入技术在硅基晶体管中的应变工程技术
机译:在FinFET技术中实施的集成拉伸应变硅NFET和压缩应变硅 - 锗PFET
机译:FINFET技术中实现的集成拉伸应变硅NFET和压缩应变硅锗PFET
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