North Carolina State University.;
CMOS; DLTS; Electronic defect; MCTS; Minority carrier transient spectroscopy; Silicon-germanium; Strained silicon;
机译:应变硅反型层中性缺陷有限电子迁移率的模型
机译:通过扫视入射X射线形貌成像应变硅薄膜中的缺陷
机译:应变硅/ SiGe异质结构中BF2 +离子注入层的表征
机译:含碳硅基异质结构的外延生长和电子表征
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:双极性硅量子点中电荷缺陷的钝化和表征
机译:通过金属-绝缘体-半导体-异质结构电容器的C(V)表征研究氮化硅钝化和AlGaN / AlN / GaN异质结构之间的界面
机译:硅的缺陷结构分析。 semix材料的表征。低成本太阳能电池阵项目大面积硅片任务的硅片增长发展