以鳍式FET技术实现的集成式拉伸性应变硅NFET和压缩性应变硅锗PFET

摘要

对拉伸性应变的硅层进行图案化以形成在第一衬底区域中的第一组鳍以及在第二衬底区域中的第二组鳍。该第二组鳍覆盖有拉伸性应变的材料，并且执行退火以使在该第二组鳍中的拉伸性应变的硅半导体材料弛豫并在该第二区域中产生多个弛豫的硅半导体鳍。该第一组鳍覆盖有掩模，并且在这些弛豫的硅半导体鳍上提供硅锗材料。然后，将来自该硅锗材料的锗驱入这些弛豫的硅半导体鳍中以在该第二衬底区域中产生多个压缩性应变的硅锗半导体鳍(从中形成多个p沟道鳍式FET器件)。去除该掩模以显露出在该第一衬底区域中的多个拉伸性应变的硅半导体鳍(从中形成多个n沟道鳍式FET器件)。