半导体少子产生区宽度线性模型的研究

摘要

基于对半导体表面产生区宽度特点的分析,提出了与表面空间电荷区宽度呈线性关系的产生区宽度新模型。该模型形式简单,精度较高。数理统计分析结果表明,该线性模型是合理的。