MOS结构栅面积对少子产生寿命测量的影响研究

摘要

少子寿命直接与半导体器件的性能有关,是半导体器件设计与表征的基本电学参数之一.由于少子寿命这一参数对于半导体中起少子复合中心和陷阱作用的杂质和缺陷非常敏感,它的大小会直接影响MOS型DRAM(动态随机存储器)的刷新时间、PN结漏电流及CCD(电荷耦合器件)的传输效率和成像质量等;也是半导体材料质量和器件工艺质量检验的重要内容.少子寿命测量是评价半导体单晶质量和器件工艺条件的最合适的方法之一.从理论上定性和定量研究少子寿命的方法,并求出了横向扩展体积所占的百分比,计算了理论上如何避免和减少误差的模型.