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王桂珍; 林东生; 杨善潮; 郭晓强; 李瑞宾; 白小燕; 刘岩;
中国核学会;
CMOS电路; 闩锁阈值; 脉冲宽度; 翻转阈值; 半导体器件;
机译:Pelletron促进剂在研究半导体器件高总剂量辐射效应中的应用
机译:辐射效应半导体器件和辐射电阻措施
机译:双极技术半导体器件辐射效应的物理模型
机译:研究用于电子零件选择的半导体器件中的自然空间辐射效应
机译:金属氧化物半导体器件中的辐射效应。
机译:微波辅助合成和表征氧化锌/烟草花叶病毒杂种材料。场效应晶体管器件中的有源混合半导体
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:半导体器件和集成电路的辐射效应研究
机译:在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路
机译:在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像器系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路
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