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滕家琪; 闵嘉华; 梁小燕; 周捷; 张涛; 时彬彬; 杨升; 曾李骄开;
上海大学电子信息材料系;
PICTS; CdZnTe; 深能级; 缺陷;
机译:从半绝缘CdZnTe探测器材料的热激发电流谱中识别深阱能级
机译:辐照III-V半导体中深本征点缺陷能级的能量位置与有限费米能级之间的相关性
机译:修正低压布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的晶体缺陷
机译:窄带隙半导体中深缺陷的形成能和能级
机译:使用同步加速器白束X射线形貌研究CdZnTe和InP单晶中的缺陷生成。
机译:洪堡乌贼巨型轴突中Na +的深封闭状态下控制Na +的反应的能级图
机译:CdZnTe探测器中的性能限制缺陷
机译:自动测试装置,用于通过可选的交叉钻孔来识别深孔钻孔中的缺陷或缺陷
机译:半导体晶体缺陷测试方法及其设备,以及使用半导体晶体缺陷测试设备的半导体器件制造方法
机译:包括具有两个不同类型的晶体管的交叉耦合晶体管的集成电路,该晶体管具有由公共栅极能级特征形成的栅极电极,并且在公共栅极能级特征的相对侧具有共享的扩散区域
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