退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN111900097A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN202010595872.2
发明设计人 杨学林;沈波;黄华洋;吴珊;沈剑飞;许福军;唐宁;王新强;
申请日2020-06-28
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司;
代理人李稚婷
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2023-06-19 08:00:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-25
授权
发明专利权授予
机译: 宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置
机译: 在半导体衬底中具有由电子束照射产生的深能级缺陷的半导体器件
机译: 通过使用深能级瞬态光谱法确定半导体或绝缘体材料的带电能态的方法和实施该方法的设备
机译:低温亚微米分辨率的光致发光显微镜的开发及其在宽禁带半导体中的缺陷检测中的应用
机译:复合半导体中深能级的非辐射检测
机译:光深能级瞬态光谱法:一种研究高补偿半导体中深能级的技术
机译:使用聚类方法对宽禁带半导体中的缺陷建模
机译:新材料系统中的新型分层半导体量子结构---氮化物量子级联发射器和检测器,具有量子级联激光泵浦的Fe:ZnSe发光,具有实时格林函数的理论方法以及双曲线超材料。
机译:通过低成本互补金属 - 氧化物半导体(CMOS)网络摄像机提高荧光检测敏感性的图像堆叠方法
机译:宽禁带半导体4H-SiC中MOS结构绝缘膜的制作与评估研究
机译:用超晶格递归方法计算半导体中的深能级