沉积温度对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响

摘要

采用电沉积法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)对薄膜的结构和光学性能进行了表征,研究了沉积温度对薄膜的相组成、显微形貌以及光学性质的影响。结果表明:在U=3 V,pH=2.5,T=60℃,沉积时间为20 min,加入EDTA作络合剂的情况下,可制备出沿(111)和(200)晶面取向生长的立方相PbS薄膜。薄膜显微结构均匀而致密,随着反应温度从20℃增加到60℃,薄膜内的压应力逐渐减小,禁带宽度也随着变小。所制备的微晶PbS薄膜的禁带宽度约为0.39 eV。