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郭崇志; 池木根; 孙曼霁;
军事医学科学院毒物药物研究所;
电鳐; 电器官; 膜上; 高特异性; 低亲和力; TCP结合部位; 受体; 神经性毒剂;
机译:在不同肺区室表达的Galectin-3通过促进黑色素瘤细胞上的高亲和力配体的阻滞,外渗和器官定植来促进器官特异性转移
机译:优先取向Fe掺杂的CACU_3TI_4O_(12)膜,具有高介电常数和低介电损耗,沉积在LAALO_3和NDGAO_3基板上
机译:在AZ91D镁合金上设计具有高耐蚀性和低电接触电阻的化学转化膜
机译:高纵横比的锑化铟铟纳米线在多孔阳极氧化铝(PAA)膜上的电沉积。
机译:通过融合到高亲和力多聚βTCP结合肽上的表皮生长因子(EGF)与β磷酸三钙(βTCP)的连接:对人多能基质细胞/结缔组织祖细胞的影响。
机译:使用蛋白质晶体筛选低亲和力片段文库:对PP60SRC的SH 2结构域的低亲和力抑制剂片段的特异性结合的要求是具有全长的高亲和力结合的亚峰值
机译:小鼠神经母细胞瘤细胞中毒蕈碱胆碱能受体的短期脱敏:激动剂低亲和力和哌仑西平高亲和力结合位点的选择性丧失
机译:在半导体衬底上形成金属前介电膜的方法,该半导体衬底包括第一层的高臭氧:TEOS体积比的未掺杂氧化物和第二层的低臭氧掺杂的BPSG
机译:在半导体衬底上形成金属前介电膜的方法,该半导体衬底包括第一层高臭氧:TEOS体积比的未掺杂氧化物和第二层低臭氧掺杂的BPSG
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