基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析

摘要

给出了fT为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理 论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据 电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;根据稳定性判据,计算 了器件的稳定性与工作频率之间的关系。为器件的设计和应用提供了理论依据。