SiGe HBT大信号等效电路模型

摘要

基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGe HBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.