一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型

摘要

本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。