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韩茹; 杨银堂; 贾护军;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
碳化硅MESFET; 沟道电势; 漏极引致势垒降低效应; 阈值电压;
机译:Si-SiO_2界面处的修改边界条件,用于建模短沟道SOI MESFET的阈值电压和亚阈值摆幅
机译:源漏掺杂对短沟道DG MOSFET亚阈值特性的影响
机译:短沟道双栅极无结场效应晶体管的亚阈值特性的紧凑模型
机译:短沟道InP MESFET的亚阈值电流模型
机译:硅(Si)基板上的单向常态垂直碳化硅(3C-SiC)MESFET。
机译:具有部分低掺杂沟道的改进型4H-SiC MESFET
机译:SiC MESFET的拉曼沟道温度测量与环境温度和直流功率的关系
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:用锗植入物制造半导体结构的方法,以减少衬底表面附近的短沟道效应和亚阈值电流
机译:Gaas短沟道轻掺杂漏极Mesfet的制造
机译:GaAs短沟道轻掺杂漏极MESFET的结构与制造
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