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任红霞; 郝跃;
西安电子科技大学微电子研究所;
槽栅P沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 凹槽拐角; 器件特性;
机译:掺杂浓度对深亚微米沟槽栅PMOSFET中短沟道效应抗扰度的影响
机译:深亚微米沟槽栅PMOSFET中热载流子产生机理和热载流子免疫
机译:凹角对深亚微米沟槽栅极PMOSFET特性的影响
机译:凹角对深亚微米凹槽栅极PMOSFET特性影响的模拟
机译:分析亚微米和深亚微米技术中加法器和乘法器的基于IP的实现。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:栅氧化层击穿对深亚微米NmOsFET射频噪声的影响
机译:深亚微米器件的三维仿真。杂质原子如何影响电导率
机译:在深亚微米CMOS技术中提高厚栅氧化物接地栅NMOSFET的ESD鲁棒性的注入方法
机译:亚毫米级导电栅板具有sabumirimetoruapachiya的掩模的制造方法,亚微米级导电栅板具有sabumirimetoruapachiya的掩模和亚毫米级导电栅板
机译:用于深亚微米存储单元的带底切栅氧化物的双电荷存储节点
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